武汉理工大学材料科学与工程学院研究生导师：涂溶
研究生导师简介
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姓 名
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涂溶
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性 别
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男
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民 族
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汉
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出生年月
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1972.04
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职 称
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教授
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职 务
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联系电话
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单位名称
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新材所
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Email
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turong@whut.edu.cn
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实验室网址
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http://fct.group.whut.edu.cn/cn/index.html
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研究方向
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l 功能薄膜与涂层
l 化学气相沉积
l 物理气相沉积
l 无机非金属材料
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教育背景
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l 2000/4-2003/3，（日本）东北大学，工学研究科材料加工学，博士（工学）
l 1998/4-2000/3，（日本）东北大学，工学研究科材料物性学，工学硕士
l 1989/9-1993/6，武汉工业大学，材料科学，本科，工学学士
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工作经历
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l 2012/9-至今，武汉理工大学，材料复合新技术国家重点实验室，教授
l 2010/3-2012/8，（日本）东北大学，金属材料研究所，准教授
l 2004/11-2010/3，（日本）东北大学，金属材料研究所，助教
l 2003/4-2004/10，（日本）东北大学，金属材料研究所，非常勤讲师
l 1996/10-1998/3，（日本）东北大学，金属材料研究所，外国人研究者
l 1993/7-1996/9，武汉工业大学，材料复合新技术国家重点实验室，助手
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项目情况
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l 国家科技部国际合作专项项目，大尺寸碳化硅的激光化学气相沉积技术及应用合作研发，2014/12-2017/11。
l 国际企业委托项目，卤化物化学气相沉积法制备Ti-Si-C复合材料厚膜成型技术，2015/01-2015/12。
l 国家自然科学基金项目，双激光化学气相沉积法制备刀具超硬涂层，2019.1-2022.12
l 国际合作项目，SiCN涂层的生物和血液相容性，2019.1-2021.12
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代表性学术
成果 |
1 Q. Sun, P. Zhu, Q. Xu, R. Tu, S. Zhang, J. Shi, H. Li, L. Zhang, et al., “High-speed heteroepitaxial growth of 3C-SiC (111) thick films on Si (110) by laser chemical vapor deposition,” Journal of the American Ceramic Society, 101 [1] 1048–1057 (2018).
2 Q. Xu, P. Zhu, Q. Sun, R. Tu, S. Zhang, M. Yang, Q. Li, J. Shi, et al., “Fast preparation of (111)-oriented β-SiC films without carbon formation by laser chemical vapor deposition from hexamethyldisilane without H2,” Journal of the American Ceramic Society, 101 [2] 1471–1478 (2018).
3 P. Zhu, M. Yang, Q. Xu, Q. Sun, R. Tu, J. Li, S. Zhang, Q. Li, et al., “Epitaxial growth of 3C-SiC on Si(111) and (001) by laser CVD,” Journal of the American Ceramic Society, 101 [9] 3850–3856 (2018).
4 P. Zhu, Q. Xu, R. Chen, S. Zhang, M. Yang, R. Tu, L. Zhang, T. Goto, et al., “Structural study of β-SiC(001) films on Si(001) by laser chemical vapor deposition,” Journal of the American Ceramic Society, 100 [4] 1634–1641 (2017).
5 R. Tu, D. Zheng, Q. Sun, M. Han, S. Zhang, Z. Hu, T. Goto, and L. Zhang, “Ultra-Fast Fabrication of <110>-Oriented β-SiC Wafers by Halide CVD,” Journal of the American Ceramic Society, 99 [1] 84–88 (2016).
6. Tu, Rong，Li, Nian，Li, Qizhong，Zhang, Song，Zhang, Lianmeng，Goto, TakashiMicrostructure and mechanical properties of B4C-HfB2-SiC ternary eutectic composites prepared by arc melting，Journal of the European Ceramic Society，2016，36(4)：959-966。
7. Tu, Rong，Li, Nian，Li, Qizhong，Zhang, Song，Zhang, Lianmeng，Goto, TakashiEffect of microstructure on mechanical, electrical and thermal properties of B4C-HfB2 composites prepared by arc melting，Journal of the European Ceramic Society，2016，36(16)：3929-3937。
8 R. Tu, Q. Sun, S. Zhang, M. Han, Q. Li, H. Hirayama, L. Zhang, and T. Goto, “Oxidation Behavior of ZrB2-SiC Composites at Low Pressures,” Journal of the American Ceramic Society, 98 [1] 214–222 (2015).
9 S. Zhang, Q. Xu, R. Tu, T. Goto, and L. Zhang, “Growth Mechanism and Defects of <111>-Oriented β-SiC Films Deposited by Laser Chemical Vapor Deposition,” Journal of the American Ceramic Society, 98 [1] 236–241 (2015).
10 S. Zhang, Q. Xu, Q. Sun, P. Zhu, R. Tu, Z. Hu, M. Han, T. Goto, et al., “Effect of Pressure on Microstructure of <111>-Oriented β-SiC Films: Research Via Electron Backscatter Diffraction,” Journal of the American Ceramic Society, 98 [12] 3713–3718 (2015).
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